IPA80R280P7 Infineon N-Kanal MOSFET 50 Stk.

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Produktdetails

Infineon IPA80R280P7 CoolMOS™ P7 N-Kanal Leistungs-MOSFET — 800 V, 17 A, 280 mΩ max. RDS(on), PG-TO 220 FullPAK, 50 Stk., neu versiegelt. Super-Junction-Technologie mit integrierter Zener-ESD-Diode, klassenbeste Gate-Ladung von 36 nC typ., und VGS(th) von 3 V typ. JEDEC-qualifiziert für industrielle Anwendungen. Geeignet für Hard- und Soft-Switching-Flyback, PFC, LED-Beleuchtung, Ladegeräte und Hilfsnetzteile.

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Produktübersicht

Teilenummer IPA80R280P7
Menge 50 Stk. (Tube)
Produkttyp N-Kanal Super-Junction MOSFET — CoolMOS™ P7
Gehäuse PG-TO 220 FullPAK (vollständig isoliert)
Montageart Through-hole
Drain-Source-Spannung (VDS) 800 V
Dauerhafter Drainstrom (ID @ TC = 25 °C) 17 A
Dauerhafter Drainstrom (ID @ TC = 100 °C) 10.6 A
Gepulster Drainstrom (ID,pulse) 45 A
RDS(on) typ. @ TJ = 25 °C 0.24 Ω
RDS(on) max. @ TJ = 25 °C 0.28 Ω
Gate-Schwellenspannung VGS(th) typ. 3 V (Bereich: 2.5 – 3.5 V)
Gate-Ladung gesamt (Qg typ.) 36 nC
Gate-Drain-Ladung (Qgd typ.) 15 nC
Eingangskapazität (Ciss typ.) 1200 pF
Gespeicherte Ausgangsenergie (Eoss @ 500 V) 4 µJ
Einschaltverzögerungszeit (td(on) typ.) 10 ns
Ausschaltverzögerungszeit (td(off) typ.) 40 ns
Avalanche-Energie, Einzelpuls (EAS) 43 mJ
Verlustleistung (Ptot @ TC = 25 °C) 30 W
Wärmewiderstand Sperrschicht-Gehäuse (RthJC) 4.1 °C/W max.
Isolationsfestigkeit (VISO) 2500 V RMS
Betriebstemperaturbereich −55 °C bis +150 °C
ESD-Schutz Integrierte Zener-Diode — HBM Klasse 2
JEDEC-qualifiziert Ja — Industrielle Anwendungen
RoHS-konform Ja
Zustand Neu — original versiegelte Verpackung (OVP)

Anwendungen

  • Hard- und Soft-Switching-Flyback-Wandler für LED-Beleuchtung, Ladegeräte und Adapter
  • Hilfs- und AUX-Netzteile in Industrie- und Verbrauchergeräten
  • Leistungsfaktorkorrektur (PFC)-Stufen in Verbraucher- und Solaranwendungen
  • Audioverstärker-Leistungsstufen, die hochspannungsarme, verlustarme Schaltvorgänge erfordern

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Garantie & Konformität

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