2N7002DWK Diodes Incorporated Dual N-Kanal MOSFET 3000 Stück
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Diodes Incorporated 2N7002DWK – Dualer N-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET, 60 V, 261 mA, SOT363, Tape & Reel mit 3000 Stück. Entwickelt, um den Durchlasswiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine schnelle Schaltleistung aufrechtzuerhalten, wodurch er ideal für hocheffiziente Energiemanagement- und Motorsteuerungsanwendungen ist. Beide Kanäle verfügen über Gate-Schutzdioden für ESD-Robustheit, und das Gerät ist vollständig bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform.
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Produktübersicht
| Teilenummer | 2N7002DWK |
| Datumscode | 21+ (2021 oder später) |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Produkttyp | Dualer N-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET |
| Drain-Source-Spannung (BVDSS) | 60 V |
| Gate-Source-Spannung (VGSS) | ±20 V |
| Kontinuierlicher Drainstrom (ID) bei TA = +25 °C | 261 mA (VGS = 10 V) / 226 mA (VGS = 4,5 V) |
| Kontinuierlicher Drainstrom (ID) bei TA = +70 °C | 208 mA |
| Gepulster Drainstrom (IDM) | 1,1 A (10 µs Puls, 1 % Tastverhältnis) |
| Gate-Schwellenspannung (VGS(TH)) | 1,0 V min – 2,0 V max |
| Einschaltwiderstand RDS(ON) typ / max | 1,3 Ω typ / 3,0 Ω max bei VGS = 10 V, ID = 200 mA 1,5 Ω typ / 4,0 Ω max bei VGS = 4,5 V, ID = 150 mA |
| Drainstrom bei Null-Gate-Spannung (IDSS) | 1 µA max bei VDS = 60 V |
| Gate-Source-Leckstrom (IGSS) | ±10 µA max bei VGS = ±20 V |
| Dioden-Durchlassspannung (VSD) | 0,8 V typ / 1,4 V max bei IS = 115 mA |
| Eingangskapazität (Ciss) | 41 pF typ |
| Ausgangskapazität (Coss) | 4,5 pF typ |
| Gesamt-Gate-Ladung (Qg) | 0,51 nC typ bei VGS = 4,5 V / 1,04 nC typ bei VGS = 10 V |
| Einschaltverzögerung / Anstiegszeit | 6,9 ns / 5,8 ns |
| Ausschaltverzögerung / Abfallzeit | 37,8 ns / 14,3 ns |
| Gesamtverlustleistung (PD) | 0,45 W (1 in² Kupferplatte) / 0,33 W (min. Pad) |
| Wärmewiderstand Übergang zu Umgebung (RθJA) | 278 °C/W (1 in² Kupfer) / 379 °C/W (min. Pad) |
| Betriebs-/Lagertemperatur (TJ, TSTG) | −55 °C bis +150 °C |
| ESD-Schutz | Gate-Schutzdiode an jedem Kanal |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe | Stufe 1 gemäß J-STD-020 |
| Gehäuse | SOT363 – 2,15 × 2,10 × 0,95 mm (typ.) |
| Gewicht | 0,006 g (ca.) |
| Menge | Volle Rolle mit 3.000 Stück – Tape & Reel |
| Zustand | Neu – versiegelte Originalrolle (OVP) |
| Konformität | RoHS-konform (EU 2002/95/EC, 2011/65/EU, 2015/863/EU); halogenfrei; bleifrei; „grünes“ Bauteil |
Anwendungen
- Hocheffiziente Energiemanagementschaltungen, die ein Schalten mit niedrigem Einschaltwiderstand erfordern
- Motorsteuerungs- und Treiberschaltungen, die beide Kanäle unabhängig oder in komplementären Konfigurationen verwenden
- Lastschaltung, Signalrouting und Logikpegel-Gate-Treiberschaltungen
- Tragbare und batteriebetriebene Unterhaltungselektronik, bei der ein niedriger VGS(TH) den direkten MCU-Antrieb ermöglicht
- Platzsparende Leiterplattenlayouts, die vom kompakten SOT363 Dual-Device-Footprint profitieren
Versand
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Garantie & Konformität
- 12 Monate Garantie inklusive
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