BSC123N08NS3GATMA1 Infineon MOSFET N-Kanal 5000 Stk.
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Infineon BSC123N08NS3 G OptiMOS 3 N-Kanal Power MOSFET — 80 V, 55 A, 12,3 mΩ RDS(on), PG-TDSON-8, 5000 Stück/Rolle, Datumscode 2223. Optimiert für Hochfrequenzschaltungen und Synchrongleichrichtung in DC/DC-Wandlern, mit einer exzellenten Gate-Ladung × RDS(on) Gütezahl, überlegener Wärmebeständigkeit und 100 % Lawinentests.
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Produktübersicht
| Teilenummer | BSC123N08NS3 G (BSC123N08NS3GATMA1) |
| Datumscode | 2223 |
| Produkttyp | OptiMOS 3 N-Kanal Power MOSFET |
| Gehäuse | PG-TDSON-8, gegurtet |
| Menge | 5000 Stück/Rolle |
| Drain-Source-Spannung (VDS) | 80 V |
| Dauer-Drainstrom (ID) | 55 A (TC=25°C) / 35 A (TC=100°C) / 11 A (TA=25°C) |
| Gepulster Drainstrom | 220 A |
| RDS(on) max. | 12,3 mΩ (VGS=10 V) / 24 mΩ (VGS=6 V) |
| Gate-Schwellenspannung (VGS(th)) | 2,0–3,5 V |
| Gate-Source-Spannung (VGS) | ±20 V |
| Verlustleistung (Ptot) | 66 W (TC=25°C) |
| Gesamt-Gate-Ladung (Qg) | typ. 19 nC / max. 25 nC |
| Ausgangsladung (QOSS) | typ. 25 nC / max. 34 nC |
| Lawinenenergie (EAS) | 70 mJ |
| Betriebstemperatur | -55°C bis +150°C |
| Montageart | SMD / SMT |
| Lawinengetestet | Ja — 100% |
| Konformität | RoHS-konform, halogenfrei (IEC61249-2-21), Pb-frei |
| Zustand | Neu — original versiegelte Verpackung (OVP) |
Anwendungen
- Hochfrequenz-DC/DC-Wandler und Synchrongleichrichtung
- Point-of-Load-Regler und Server-Netzteile
- Motorsteuerungen und industrielle Leistungsumwandlung
- Batteriemanagementsysteme und Telekommunikationsinfrastruktur
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Garantie & Konformität
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(GPSR (EU) 2023/988): Kontaktieren Sie uns unter info@liquisto.com für Kontaktdaten des Herstellers/der verantwortlichen EU-Partei bezüglich Produktsicherheit.