IPD65R190C7 Infineon High Power MOSFET 2500 Stück

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Produktdetails

Infineon IPD65R190C7 650V CoolMOS™ C7 N-Kanal Power-MOSFET – 650V, 13A, 190mΩ RDS(on), DPAK (PG-TO252-3), Datumscode 1810. Superjunction-Technologie für erstklassige Schaltleistung in PFC-Stufen und hart schaltenden PWM-Anwendungen. Vollständig versiegelte Rolle mit 2500 Stück in Originalverpackung.

Auf Lager verfügbar – Versand innerhalb von 3 Tagen nach Zahlungseingang.

Produktübersicht

Teilenummer IPD65R190C7
Hersteller Infineon Technologies
Datumscode 1810
Menge Volle Rolle – 2500 Stk
Gerätetyp N-Kanal Power-MOSFET
Technologie CoolMOS™ C7 Superjunction
Drain-Source-Spannung (VDS) 650V
Dauer-Drainstrom (ID) 13A bei TC = 25°C
Einschaltwiderstand (RDS(on) max) 190mΩ bei VGS = 10V
Gesamte Gate-Ladung (Qg) 23nC (typisch)
Verlustleistung (Ptot) 72W bei TC = 25°C
Gehäuse DPAK (PG-TO252-3)
Zustand Neu – versiegelte Originalverpackung (OVP)
Konformität RoHS-konform, Halogenfrei, JEDEC-qualifiziert

Anwendungen

  • Leistungsfaktorkorrektur (PFC)-Stufen in Computer-, Server- und Telekommunikationsnetzteilen
  • Hart schaltende PWM-Stufen in USV- und Solarwechselrichtersystemen
  • Hochfrequenz-Schaltnetzteile, die geringe Schaltverluste erfordern
  • Industrielle Leistungswandlung, die hohe Effizienz und Zuverlässigkeit erfordert

Versand

  • Versand innerhalb von 3 Tagen nach Zahlungseingang
  • Sichere Verpackung für einen sicheren Transport
  • Kostenloser Versand innerhalb Deutschlands

Garantie & Konformität

  • 12 Monate Garantie inklusive
  • Produkt ist vollständig konform mit EU-Industriestandards
  • Inklusive Mehrwertsteuerrechnung bei jeder Bestellung

(GPSR (EU) 2023/988): Kontaktieren Sie uns unter info@liquisto.com für Kontaktdaten des Herstellers/EU-Verantwortlichen für Produktsicherheit.