IRF7807PBF Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET 95 Stk.
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Infineon IRF7807PBF HEXFET® N-Kanal Leistungs-MOSFET – 30V, 8.3A, 25mΩ RDS(on), SO-8. Fortschrittliche HEXFET-Technologie, optimiert für mobile DC-DC-Wandler, die ein außergewöhnliches Gleichgewicht zwischen niedrigem Einschaltwiderstand und niedriger Gate-Ladung für hocheffiziente 3,3V- und 5V-Leistungsumwandlung bietet. Geeignet als Steuer-FET und Synchron-FET im gleichen Design. Tube mit 95 Stück in Originalverpackung. Direkter Ersatz für IRF7807TRPBF (Tape-and-Reel-Variante).
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Produktübersicht
| Teilenummer | IRF7807PBF |
| Hersteller | Infineon Technologies (International Rectifier) |
| Menge | Tube – 95 Stück |
| Gerätetyp | N-Kanal HEXFET® Leistungs-MOSFET |
| Drain-Source-Spannung (VDS) | 30V |
| Dauer-Drainstrom (ID) | 8.3A bei 25°C |
| Einschaltwiderstand (RDS(on) max) | 25mΩ bei VGS = 4.5V |
| Gesamt-Gate-Ladung (Qg) | 17nC (max) bei VGS = 5V |
| Verlustleistung (PD) | 2.5W bei 25°C |
| Gate-Source-Spannung (VGS) | ±12V |
| Gehäuse | SO-8 |
| Ersatz für | IRF7807TRPBF (Tape-and-Reel-Variante) |
| Zustand | Neu – Originalverpackung (OVP) |
| Konformität | RoHS-konform (bleifrei) |
Anwendungen
- Mobile DC-DC-Wandler für 3,3V- und 5V-Systemschienen in Laptops und tragbaren Geräten
- Steuer-FET und Synchron-FET in hocheffizienten Abwärtswandler-Designs
- Niederspannungs-Leistungsumwandlung in eingebetteten Systemen und Mikroprozessor-Leistungsstufen
- Batteriebetriebene Anwendungen, die minimale Leitungs- und Schaltverluste erfordern
Versand
- Versand innerhalb von 3 Tagen nach Zahlungseingang
- Sichere Verpackung für eine sichere Lieferung
- Kostenlose Lieferung innerhalb Deutschlands
Garantie & Konformität
- 12 Monate Garantie inklusive
- Produkt entspricht vollständig den EU-Industriestandards
- Mehrwertsteuerrechnung bei jeder Bestellung enthalten
(GPSR (EU) 2023/988): Kontaktieren Sie uns unter info@liquisto.com für die Kontaktdaten des Herstellers/EU-Verantwortlichen für Produktsicherheit.