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MD Micro Detectors H8E/1-VFN9 - Through-beam Photoelectric Sensor 30VDC 50mA

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Produktdetails

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MD Micro Detectors H8E/1-VFN9 - Through-beam Photoelectric Sensor 30VDC 50mA

  • Sensing Distance: 80 mm

  • Operating Voltage: 5 VDC (E1), 30 VDC max (R1)

  • Output Type: Open collector

  • Current Rating: 50 mA max

  • Connector Type: Cable, 2 m length

  • Housing Material: Stainless steel

  • Sensing Head Material: PMMA (Acrylic)

  • Operating Temperature: -25°C to 70°C

  • Insulation Resistance: 100 MΩ min (at 500 VDC)

  • Dielectric Strength: 500 VAC for 1 min (leakage current: 1 mA max.)

  • Protection Degree: IP67 (EN60529)

 

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