STB15NM60ND STMicroelectronics N-Kanal-MOSFET 600V 1000 Stk.
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STMicroelectronics STB15NM60ND – FDmesh™ II N-Kanal Leistungs-MOSFET.
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Produktübersicht
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Teilenummer | STB15NM60ND |
| Datumscode | 1722 |
| Gerätetyp | N-Kanal Leistungs-MOSFET – FDmesh™ II (MDmesh™ 2. Generation) |
| Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 600 V |
| Kontinuierlicher Drain-Strom (ID) bei TC = 25°C | 14 A |
| Kontinuierlicher Drain-Strom (ID) bei TC = 100°C | 9 A |
| Gepulster Drain-Strom (IDM) | 56 A |
| RDS(on) Max (VGS = 10 V, ID = 7 A) | 0.299 Ω (typ. 0.27 Ω) |
| Gate-Source-Spannung (VGS) | ± 25 V |
| Gate-Schwellenspannung (VGS(th)) | 3 – 5 V |
| Gesamtverlustleistung (PTOT) bei TC = 25°C | 125 W |
| RoHS-Konformität | Ja – ECOPACK® bleifrei |
| Verpackung | Band und Rolle – volle Rolle (1000 Stk.) |
| Zustand | Neu in original versiegelter Verpackung (OVP) |
Anwendungen
- Brückentopologien und ZVS-Phasenschieberwandler, die eine schnelle Recovery-Body-Diode-Leistung erfordern
- Schaltnetzteile (SMPS) und DC-DC-Wandler in Industrie- und Telekommunikationsgeräten
- Motorantriebe, Wechselrichter und USV-Systeme, die Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgeräte erfordern
- PFC-Stufen (Leistungsfaktorkorrektur) und Resonanzwandler-Topologien
- Allgemeine Hochspannungsschaltanwendungen, die niedrigen RDS(on) und hohe dv/dt-Fähigkeit erfordern
Versand
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- Kostenlose Lieferung innerhalb Deutschlands
Garantie & Konformität
- 12 Monate Garantie inklusive
- Das Produkt ist vollständig konform mit den EU-Industriestandards
- Umsatzsteuerrechnung wird jeder Bestellung beigefügt
(GPSR (EU) 2023/988): Kontaktieren Sie uns unter info@liquisto.com für die Kontaktdaten des Herstellers/EU-Verantwortlichen für Produktsicherheit.