Infineon IRFR3806PBF HEXFET® N-Kanal Power MOSFET — 60V, 43A, 12.6mΩ RDS(on), D-Pak (TO-252AA), Datumscode 22+. Industrielles Bauteil mit verbesserter Gate-, Avalanche- und dynamischer dv/dt-Robustheit, optimiert für hocheffiziente synchrone Gleichrichtung, USV und hochfrequente hartgeschaltete Leistungsumwandlung. Rolle mit 1376 Stück in Originalverpackung.
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Produktübersicht
| Teilenummer | IRFR3806PBF |
| Hersteller | Infineon Technologies (International Rectifier) |
| Datumscode | 22+ |
| Menge | Rolle — 1376 Stk. |
| Gerätetyp | N-Kanal HEXFET® Power MOSFET |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 60V |
| Kontinuierlicher Drain-Strom (ID) | 43A bei TC = 25°C |
| Einschaltwiderstand (RDS(on)) | 12,6mΩ typ / 15,8mΩ max bei VGS = 10V |
| Gesamte Gate-Ladung (Qg) | 22nC typ / 30nC max |
| Verlustleistung (PD) | 71W bei TC = 25°C |
| Betriebs-Sperrschichttemperatur | −55°C bis +175°C |
| Thermogewicht Sperrschicht-Gehäuse (RθJC) | 2,12°C/W max |
| Einzelschock-Avalanche-Energie (EAS) | 73mJ |
| Gehäuse | D-Pak (TO-252AA) |
| Zustand | Neu — Originalverpackung (OVP) |
| Konformität | RoHS-konform (bleifrei), qualifiziert für den Industriemarkt |
Anwendungen
- Hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen (SMPS)
- Unterbrechungsfreie Stromversorgungs (USV)-Systeme
- Hartgeschaltete und hochfrequente Leistungsumwandlungsschaltungen
- Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltung, die eine starke Avalanche- und dv/dt-Robustheit erfordert
Versand
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- Kostenloser Versand innerhalb Deutschlands
Garantie & Konformität
- 12 Monate Garantie inklusive
- Das Produkt entspricht vollständig den EU-Industriestandards
- Umsatzsteuerrechnung bei jeder Bestellung enthalten
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