NXP BUK7227-100B,118 N-Kanal TrenchMOS Standard Level FET 10 Stk.
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NXP BUK7227-100B,118 — N-Kanal TrenchMOS Standard Level FET, 100 V, 48 A, 167 W, DPAK (TO-252). Ein automobilqualifizierter N-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET, gebaut mit TrenchMOS-Technologie, bietet geringen Einschaltwiderstand für reduzierte Leitungsverluste und eine Sperrschichttemperatur von 185 °C für thermisch anspruchsvolle Umgebungen. AEC-Q101-konform und geeignet für Gate-Treiberquellen mit Standardpegel. Verkauft als 10er-Pack in Originalverpackung.
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Produktübersicht
| Teilenummer | BUK7227-100B,118 |
| Datumscode | 22+ |
| Hersteller | NXP Semiconductors (Nexperia) |
| Produkttyp | N-Kanal TrenchMOS Standard Level FET |
| Gehäuse | DPAK / TO-252 (SOT428), SMD/SMT |
| Menge | 10 Stück |
| Drain-Source-Spannung (VDS) | 100 V |
| Dauer-Drainstrom (ID) | 48 A bei Tmb = 25 °C; 34 A bei Tmb = 100 °C |
| Spitzen-Drainstrom (IDM) | 196 A (gepulst, tp ≤ 10 µs) |
| Gesamtverlustleistung (Ptot) | 167 W bei Tmb = 25 °C |
| Einschaltwiderstand (RDSon) | 23 mΩ typ / 27 mΩ max bei VGS = 10 V, ID = 25 A, Tj = 25 °C |
| Gate-Source-Schwellenspannung (VGS(th)) | 2–4 V bei Tj = 25 °C |
| Gate-Source-Spannung (VGS) | ±20 V |
| Gesamt-Gate-Ladung (QG) | 37 nC typisch bei VDS = 80 V, VGS = 10 V |
| Eingangskapazität (Ciss) | 2092 pF typisch bei VDS = 25 V, f = 1 MHz |
| Thermischer Widerstand Sperrschicht zur Montagebasis | 0,95 K/W max |
| Avalanche-Energie (EDS(AL)S) | 145 mJ max (nicht repetitiv, ID = 48 A) |
| Betriebstemperatur (Tj) | −55 °C bis +185 °C |
| Automobil-Qualifikation | AEC-Q101 konform |
| RoHS-konform | Ja |
| Zustand | Neu — in Originalverpackung (OVP) |
Anwendungen
- Automobil 12 V, 24 V und 42 V Lastschaltsysteme
- Allgemeine Leistungsschaltung in Industrie- und Unterhaltungselektronik
- Motor-, Lampen- und Solenoid-Treiberschaltungen
- Thermisch anspruchsvolle Umgebungen, die eine hohe Sperrschichttemperatur erfordern
Versand
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Garantie & Konformität
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