NXP PMV213SN,215 N-Kanal-MOSFET 2691 St.
Normaler Preis
€352,98
NXP PMV213SN,215 N-Kanal MOSFET – ein Trench-MOSFET, der für effiziente Schaltanwendungen mit geringer bis mittlerer Leistung entwickelt wurde. Er bietet eine relativ hohe Drain-Source-Spannungsfestigkeit (100 V) bei geringer Gate-Ladung und moderatem Einschaltwiderstand, wodurch er sich für Signalschaltung, Laststeuerung und allgemeines Leistungsmanagement in kompakten SMD-Designs eignet. Lieferung in Rollenverpackung (2691 Stück) und neu in original versiegelter Verpackung (OVP).
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Produktübersicht
| Teilenummer | PMV213SN,215 |
| Hersteller | NXP Semiconductors |
| Gerätetyp | N-Kanal MOSFET (TrenchMOS) |
| Drain-Source-Spannung (Vds) | 100 V |
| Dauerhafter Drain-Strom | 1,9 A |
| Rds(on) | 250 mΩ |
| Gate-Source-Spannung | ±30 V |
| Gate-Ladung | 7 nC |
| Verlustleistung | 2 W |
| Betriebstemperatur | -55 °C bis +150 °C |
| Gehäuse | SMD / SMT |
| Verpackung | Rolle (2691 Stück) |
| Datumscode | 13+ |
| Zustand | Neu – Originalverpackung (OVP) |
| RoHS-Konformität | Ja |
Hauptmerkmale
- 100 V N-Kanal MOSFET für Schaltvorgänge mit höherer Spannung
- Geringe Gate-Ladung für effiziente Schaltleistung
- Geeignet für allgemeine Lastschaltung und -steuerung
- Kompaktes SMD-Gehäuse für dichte Leiterplattenlayouts
- Breiter Temperaturbereich für industrielle Anwendungen
Anwendungen
- Lastschaltung in Industrie- und Unterhaltungselektronik
- Signal- und Leistungsschaltkreise
- Batteriebetriebene Systeme
- Allgemeine Steuerstufen für niedrige bis mittlere Leistung
Versand
- Versand innerhalb von 3 Tagen nach Zahlungseingang
- Sichere Verpackung
- Kostenlose Lieferung innerhalb Deutschlands
Garantie & Konformität
- 12 Monate Garantie inklusive
- Das Produkt entspricht vollständig den EU-Industriestandards
- Mehrwertsteuerrechnung bei jeder Bestellung enthalten
(GPSR (EU) 2023/988): Kontaktieren Sie uns unter info@liquisto.com für Kontaktdaten des Herstellers/EU-Verantwortlichen für Produktsicherheit.