STB15NM60ND STMicroelectronics MOSFET à canal N 600V 1000pcs
Prix
€1.217,25
STMicroelectronics STB15NM60ND – MOSFET de puissance à canal N FDmesh™ II.
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Présentation du produit
| Fabricant | STMicroelectronics |
| Référence | STB15NM60ND |
| Code date | 1722 |
| Type de dispositif | MOSFET de puissance à canal N – FDmesh™ II (MDmesh™ 2e génération) |
| Boîtier | D²PAK (TO-263) |
| Tension drain-source (VDSS) | 600 V |
| Courant de drain continu (ID) à TC = 25°C | 14 A |
| Courant de drain continu (ID) à TC = 100°C | 9 A |
| Courant de drain pulsé (IDM) | 56 A |
| RDS(on) max. (VGS = 10 V, ID = 7 A) | 0.299 Ω (typ. 0.27 Ω) |
| Tension grille-source (VGS) | ± 25 V |
| Tension de seuil de grille (VGS(th)) | 3 – 5 V |
| Dissipation de puissance totale (PTOT) à TC = 25°C | 125 W |
| Conformité RoHS | Oui – ECOPACK® sans plomb |
| Emballage | Bande et bobine – bobine complète (1000 pièces) |
| État | Neuf dans son emballage d’origine scellé (OVP) |
Applications
- Topologies en pont et convertisseurs à déphasage ZVS nécessitant les performances d’une diode de corps à récupération rapide
- Alimentations à découpage (SMPS) et convertisseurs CC-CC dans les équipements industriels et de télécommunications
- Commandes de moteurs, onduleurs et systèmes UPS nécessitant des dispositifs de commutation haute tension à canal N
- Étages PFC (correction du facteur de puissance) et topologies de convertisseurs résonants
- Applications générales de commutation haute tension nécessitant un faible RDS(on) et une grande capacité en dv/dt
Expédition
- Expédition dans les 3 jours suivant le paiement
- Emballage sécurisé pour une livraison sans risque
- Livraison gratuite en Allemagne
Garantie et conformité
- Garantie de 12 mois incluse
- Le produit est entièrement conforme aux normes industrielles de l’UE
- Facture TVA incluse pour chaque commande
(GPSR (EU) 2023/988) : contactez-nous pour obtenir les coordonnées de sécurité du fabricant ou de la partie responsable dans l’UE.