IPD65R190C7 Infineon MOSFET di potenza elevata 2500 pezzi
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Infineon IPD65R190C7 650V CoolMOS™ C7 MOSFET di potenza a canale N — 650V, 13A, 190mΩ RDS(on), DPAK (PG-TO252-3), Codice data 1810. Tecnologia Superjunction che offre prestazioni di commutazione best-in-class per stadi PFC e applicazioni PWM a commutazione dura. Bobina sigillata completa da 2500 pezzi nella confezione originale.
Disponibile a magazzino — spedisce entro 3 giorni dal pagamento.
Panoramica del prodotto
| Codice articolo | IPD65R190C7 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Codice data | 1810 |
| Quantità | Bobina intera — 2500 pz |
| Tipo di dispositivo | MOSFET di potenza a canale N |
| Tecnologia | CoolMOS™ C7 Superjunction |
| Tensione drain-source (VDS) | 650V |
| Corrente di drain continua (ID) | 13A @ TC = 25°C |
| Resistenza nello stato on (RDS(on) max) | 190mΩ @ VGS = 10V |
| Carica di gate totale (Qg) | 23nC (tip.) |
| Dissipazione di potenza (Ptot) | 72W @ TC = 25°C |
| Contenitore | DPAK (PG-TO252-3) |
| Condizione | Nuovo — confezione originale sigillata (OVP) |
| Conformità | Conforme RoHS, senza alogeni, qualificato JEDEC |
Applicazioni
- Stadi di correzione del fattore di potenza (PFC) in alimentatori per computer, server e telecomunicazioni
- Stadi PWM a commutazione dura in sistemi UPS e inverter solari
- Alimentatori a commutazione ad alta frequenza che richiedono basse perdite di commutazione
- Conversione di potenza industriale che richiede alta efficienza e affidabilità
Spedizione
- Spedisce entro 3 giorni dal pagamento
- Imballaggio sicuro per una consegna protetta
- Consegna gratuita in Germania
Garanzia e conformità
- 12 mesi di garanzia inclusi
- Il prodotto è pienamente conforme agli standard industriali UE
- Fattura IVA inclusa in ogni ordine
(GPSR (UE) 2023/988): Contattateci all'indirizzo info@liquisto.com per i dettagli di contatto sulla sicurezza del prodotto del produttore/parte responsabile UE.