BSC123N08NS3GATMA1 Infineon MOSFET N-Canale 5000pz

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Dettagli del prodotto

Infineon BSC123N08NS3 G OptiMOS 3 MOSFET di potenza a canale N — 80 V, 55 A, 12,3 mΩ RDS(on), PG-TDSON-8, 5000 pz/bobina, Codice data 2223. Ottimizzato per la commutazione ad alta frequenza e la rettifica sincrona nei convertitori CC/CC, con un eccellente fattore di merito della carica di gate × RDS(on), una resistenza termica superiore e test di valanga al 100%.

Disponibile in magazzino — spedizione entro 3 giorni dal pagamento.

Panoramica del prodotto

Codice articolo BSC123N08NS3 G (BSC123N08NS3GATMA1)
Codice data 2223
Tipo di prodotto OptiMOS 3 MOSFET di potenza a canale N
Contenitore PG-TDSON-8, nastro e bobina
Quantità 5000 pz/bobina
Tensione drain-source (VDS) 80 V
Corrente di drain continua (ID) 55 A (TC=25°C) / 35 A (TC=100°C) / 11 A (TA=25°C)
Corrente di drain impulsata 220 A
RDS(on) max. 12,3 mΩ (VGS=10 V) / 24 mΩ (VGS=6 V)
Tensione di soglia del gate (VGS(th)) 2,0–3,5 V
Tensione gate-source (VGS) ±20 V
Dissipazione di potenza (Ptot) 66 W (TC=25°C)
Carica totale di gate (Qg) 19 nC tip. / 25 nC max.
Carica di uscita (QOSS) 25 nC tip. / 34 nC max.
Energia di valanga (EAS) 70 mJ
Temperatura di esercizio -55°C a +150°C
Tipo di montaggio SMD / SMT
Test di valanga Sì — 100%
Conformità Conforme RoHS, senza alogeni (IEC61249-2-21), senza Pb
Condizione Nuovo — confezione originale sigillata (OVP)

Applicazioni

  • Convertitori CC/CC ad alta frequenza e rettifica sincrona
  • Regolatori point-of-load e alimentatori per server
  • Azionamenti per motori e conversione di potenza industriale
  • Sistemi di gestione della batteria e infrastrutture di telecomunicazione

Spedizione

  • Spedizione entro 3 giorni dal pagamento
  • Imballaggio sicuro per una consegna protetta
  • Consegna gratuita in Germania

Garanzia e conformità

  • Garanzia di 12 mesi inclusa
  • Il prodotto è completamente conforme agli standard industriali dell'UE
  • Fattura IVA inclusa in ogni ordine

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