IRFR5305 Infineon MOSFET P-Channel 2000pz

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Dettagli del prodotto

Infineon IRFR5305 HEXFET® P-Channel Power MOSFET — −55V, −31A, 65mΩ RDS(on), D-Pak (TO-252AA), codice data 2232. Tecnologia HEXFET di quinta generazione che offre una resistenza all'accensione ultra-bassa con commutazione rapida e piena capacità di valanga. Adatto per commutazione high-side, gestione del carico e circuiti di controllo motori che richiedono un dispositivo P-channel a montaggio superficiale. Bobina sigillata completa di 2000 pezzi nella confezione originale.

Disponibile a magazzino — spedizione entro 3 giorni dal pagamento.

Panoramica del prodotto

Numero di parte IRFR5305
Produttore Infineon Technologies (International Rectifier)
Codice data 2232
Quantità Bobina completa — 2000 pz
Tipo di dispositivo P-Channel HEXFET® Power MOSFET
Tensione drain-source (VDSS) −55V
Corrente di drain continua (ID) −31A @ TC = 25°C
Resistenza all'accensione (RDS(on) max) 65mΩ @ VGS = −10V
Carica totale del gate (Qg) 63nC max @ VGS = −10V
Dissipazione di potenza (PD) 110W @ TC = 25°C
Energia di valanga a impulso singolo (EAS) 280mJ
Temperatura di giunzione operativa −55°C a +175°C
Contenitore D-Pak (TO-252AA)
Condizione Nuovo — confezione originale sigillata (OVP)
Conformità Conforme a RoHS (Senza Piombo), completamente con capacità di valanga

Applicazioni

  • Commutazione del carico high-side e distribuzione dell'alimentazione in sistemi automobilistici e industriali
  • Circuiti di controllo motori che richiedono un interruttore P-channel a montaggio superficiale
  • Gestione della batteria e protezione dall'inversione di polarità
  • Convertitori DC-DC e rettifica sincrona in configurazioni P-channel

Spedizione

  • Spedizione entro 3 giorni dal pagamento
  • Imballaggio sicuro per una consegna protetta
  • Consegna gratuita in Germania

Garanzia e conformità

  • Garanzia di 12 mesi inclusa
  • Il prodotto è pienamente conforme agli standard industriali dell'UE
  • Fattura IVA inclusa in ogni ordine

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