L'Intersil IRFD1Z0 è un MOSFET di potenza a gate di silicio a canale N ad arricchimento in un package HEXDIP, progettato per applicazioni di commutazione ad alta velocità. Con velocità di commutazione in nanosecondi, alta impedenza di ingresso e caratteristiche di trasferimento lineari, è ideale per l'uso in regolatori di commutazione, driver di motori, driver di relè e stadi driver di transistor bipolari. Può essere pilotato direttamente da circuiti integrati. Disponibile, spedizione entro 3 giorni.
Panoramica del Prodotto
| Produttore | Intersil (Harris Corporation) |
| Numero di Parte | IRFD1Z0 |
| Tipo di Transistor | MOSFET di potenza a canale N in modalità arricchimento |
| Tensione Drain-Source (VDS) | 100V |
| Corrente di Drain Continua (ID) | 0.5A |
| Corrente di Drain Pulsata (IDM) | 4.0A |
| Resistenza Drain-Source On (rDS(ON)) | 2.4Ω max (tip. 2.2Ω) @ VGS = 10V, ID = 0.25A |
| Tensione Gate-Source (VGS) | ±20V |
| Tensione di Soglia Gate (VGS(TH)) | 2.0V – 4.0V |
| Dissipazione di Potenza Massima (PD) | 1.0W |
| Tempo di Ritardo All'Accensione (td(ON)) | 10ns tip. / 20ns max |
| Tempo di Salita (tr) | 15ns tip. / 25ns max |
| Tempo di Ritardo allo Spegnimento (td(OFF)) | 15ns tip. / 25ns max |
| Tempo di Caduta (tf) | 10ns tip. / 20ns max |
| Carica Totale di Gate (Qg) | 2.0nC tip. / 3.0nC max |
| Capacità di Ingresso (CISS) | 50pF tip. |
| Resistenza Termica (RθJA) | 120°C/W |
| Temperatura Operativa (TJ) | –55°C a +150°C |
| Package | HEXDIP |
| Quantità | 227 pz |
Applicazioni
- Regolatori di commutazione e convertitori di commutazione
- Driver per motori DC e driver per relè
- Stadi driver per transistor di commutazione bipolari ad alta potenza
- Circuiti di commutazione a bassa potenza di gate pilotati da IC
- Commutazione di potenza ad alta velocità in elettronica industriale e di consumo
Spedizione
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Garanzia e Conformità
- Garanzia di 12 mesi inclusa
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- Nuovo nella confezione originale (OVP)
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