Infineon IRF7807PBF HEXFET® MOSFET di potenza a canale N — 30V, 8.3A, 25mΩ RDS(on), SO-8. Tecnologia HEXFET avanzata ottimizzata per convertitori CC-CC mobili, che offre un equilibrio eccezionale tra bassa resistenza all'accensione e bassa carica di gate per una conversione di potenza ad alta efficienza a 3,3V e 5V. Adatto come FET di controllo e FET sincrono nello stesso progetto. Tubo da 95 pezzi nella confezione originale. Sostituto diretto per IRF7807TRPBF (variante su nastro e bobina).
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Panoramica del prodotto
| Codice articolo | IRF7807PBF |
| Produttore | Infineon Technologies (International Rectifier) |
| Quantità | Tubo — 95 pz |
| Tipo di dispositivo | MOSFET di potenza HEXFET® a canale N |
| Tensione drain-source (VDS) | 30V |
| Corrente di drain continua (ID) | 8.3A @ 25°C |
| Resistenza di accensione (RDS(on) max) | 25mΩ @ VGS = 4.5V |
| Carica totale del gate (Qg) | 17nC (max) @ VGS = 5V |
| Dissipazione di potenza (PD) | 2.5W @ 25°C |
| Tensione gate-source (VGS) | ±12V |
| Contenitore | SO-8 |
| Sostituto per | IRF7807TRPBF (variante su nastro e bobina) |
| Condizione | Nuovo — confezione originale (OVP) |
| Conformità | Conforme RoHS (Senza piombo) |
Applicazioni
- Convertitori CC-CC mobili per binari di sistema a 3.3V e 5V in laptop e dispositivi portatili
- FET di controllo e FET sincrono in progetti di convertitori buck ad alta efficienza
- Conversione di potenza a bassa tensione in sistemi embedded e stadi di potenza di microprocessori
- Applicazioni alimentate a batteria che richiedono perdite di conduzione e commutazione minime
Spedizione
- Spedizione entro 3 giorni dal pagamento
- Imballaggio sicuro per una consegna protetta
- Consegna gratuita in Germania
Garanzia e conformità
- Garanzia di 12 mesi inclusa
- Il prodotto è pienamente conforme agli standard industriali dell'UE
- Fattura IVA inclusa in ogni ordine
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