NXP PMV213SN,215 MOSFET a canale N 2691pz
Prezzo standard
€352,98
NXP PMV213SN,215 MOSFET a canale N — un MOSFET trench progettato per applicazioni di commutazione efficienti a bassa e media potenza. Offre una capacità di tensione drain-source relativamente elevata (100 V) con bassa carica di gate e moderata resistenza di conduzione, il che lo rende adatto per la commutazione di segnali, il controllo del carico e la gestione dell'alimentazione generica in design SMD compatti. Fornito in confezione in bobina (2691 pezzi) e nuovo nella confezione originale sigillata (OVP).
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Panoramica del prodotto
| Codice articolo | PMV213SN,215 |
| Produttore | NXP Semiconductors |
| Tipo di dispositivo | MOSFET a canale N (TrenchMOS) |
| Tensione Drain-Source (Vds) | 100 V |
| Corrente Drain continua | 1.9 A |
| Rds(on) | 250 mΩ |
| Tensione Gate-Source | ±30 V |
| Carica di gate | 7 nC |
| Dissipazione di potenza | 2 W |
| Temperatura operativa | da -55 °C a +150 °C |
| Pacchetto | SMD / SMT |
| Confezione | Bobina (2691 pezzi) |
| Codice data | 13+ |
| Condizione | Nuovo — confezione originale (OVP) |
| Conformità RoHS | Sì |
Caratteristiche principali
- MOSFET a canale N da 100 V per commutazioni a tensione più elevata
- Bassa carica di gate per prestazioni di commutazione efficienti
- Adatto per la commutazione e il controllo del carico generici
- Pacchetto SMD compatto per layout PCB densi
- Ampio intervallo di temperatura per applicazioni industriali
Applicazioni
- Commutazione del carico nell'elettronica industriale e di consumo
- Circuiti di commutazione di segnale e potenza
- Sistemi alimentati a batteria
- Stadi di controllo a bassa e media potenza per uso generico
Spedizione
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- Imballaggio sicuro
- Spedizione gratuita in Germania
Garanzia e conformità
- Garanzia di 12 mesi inclusa
- Il prodotto è pienamente conforme agli standard industriali dell'UE
- Fattura IVA inclusa con ogni ordine
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