OSRAM BPW 34 FAS Fotodiodo PIN al silicio con filtro luce diurna 1475 pz
Prezzo standard
€399,75
Fotodiodo PIN al silicio OSRAM BPW 34 FAS con filtro luce diurna – sensibilità di picco a 880 nm, intervallo spettrale 730–1100 nm, area attiva 7,02 mm², package SMT DIL, bobina parziale da 1.475 pezzi. Fotodiodo SMT in resina epossidica nera ottimizzato per il rilevamento nel vicino infrarosso nell'intervallo 730–1100 nm, con un tempo di commutazione rapido di 20 ns e qualificazione automobilistica AEC-Q101. Adatto per saldatura a riflusso e compatibile con l'assemblaggio automatizzato ad alta densità.
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Panoramica del prodotto
| Codice articolo | BPW 34 FAS |
| Codice d'ordine | Q65110A3121 |
| Produttore | ams-OSRAM |
| Quantità | 1.475 pezzi (bobina parziale) |
| Tipo di prodotto | Fotodiodo PIN al silicio con filtro luce diurna |
| Contenitore | DIL SMT, epossidico nero |
| Lunghezza d'onda di picco | 880 nm |
| Intervallo spettrale | 730–1100 nm |
| Area attiva | 7,02 mm² (chip da 2,65 × 2,65 mm) |
| Corrente fotoelettrica (tip.) | 50 µA (Ee = 1 mW/cm², λ = 870 nm, VR = 5 V) |
| Sensibilità spettrale | 0,65 A/W a 870 nm |
| Corrente di buio (tip.) | 2 nA (max. 30 nA) a VR = 10 V |
| Tempo di commutazione (salita/discesa) | 20 ns tip. |
| Tensione inversa (max.) | 16 V |
| Dissipazione di potenza (max.) | 150 mW |
| Temperatura di esercizio | da −40 °C a +100 °C |
| Tensione di resistenza ESD | 2 kV (HBM, Classe 2, ANSI/ESDA/JEDEC JS-001) |
| Qualificazione | Grado automobilistico AEC-Q101-REV-C |
| Conformità RoHS | Sì – conforme a EU RoHS e China RoHS |
| Condizioni | Nuovo nella confezione originale (OVP) |
Applicazioni
- Sistemi di rilevamento all'interno dell'abitacolo automobilistico e sensori pioggia/luce/tunnel
- Rilevamento della luce nel vicino infrarosso e sensori di prossimità ottici
- Rilevamento della luce ambiente nell'elettronica di consumo e nelle apparecchiature industriali
- Trasmissione dati ottica e circuiti riceventi nell'intervallo 730–1100 nm
Spedizione
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