STB15NM60ND STMicroelectronics MOSFET a canale N 600V 1000 pz

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Dettagli del prodotto

STMicroelectronics STB15NM60ND – MOSFET di potenza a canale N FDmesh™ II. 

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Panoramica del prodotto

Produttore STMicroelectronics
Codice articolo STB15NM60ND
Codice data 1722
Tipo di dispositivo MOSFET di potenza a canale N – FDmesh™ II (MDmesh™ 2a generazione)
Contenitore D²PAK (TO-263)
Tensione Drain-Source (VDSS) 600 V
Corrente di Drain Continua (ID) a TC = 25°C 14 A
Corrente di Drain Continua (ID) a TC = 100°C 9 A
Corrente di Drain Pulsata (IDM) 56 A
RDS(on) Max (VGS = 10 V, ID = 7 A) 0.299 Ω (tip. 0.27 Ω)
Tensione Gate-Source (VGS) ± 25 V
Tensione di soglia Gate (VGS(th)) 3 – 5 V
Dissipazione di potenza totale (PTOT) a TC = 25°C 125 W
Conformità RoHS Sì – ECOPACK® senza piombo
Imballaggio Nastro e bobina – bobina completa (1000 pz)
Condizione Nuovo in confezione originale sigillata (OVP)

Applicazioni

  • Topologie a ponte e convertitori ZVS phase-shift che richiedono prestazioni del diodo di body a recupero rapido
  • Alimentatori switching (SMPS) e convertitori DC-DC in apparecchiature industriali e di telecomunicazione
  • Azionamenti per motori, inverter e sistemi UPS che richiedono dispositivi di commutazione a canale N ad alta tensione
  • Stadi PFC (correzione del fattore di potenza) e topologie di convertitori risonanti
  • Applicazioni generiche di commutazione ad alta tensione che richiedono un basso RDS(on) e un'elevata capacità dv/dt

Spedizione

  • Spedizione entro 3 giorni dal pagamento
  • Imballaggio sicuro per una consegna protetta
  • Consegna gratuita in Germania

Garanzia e conformità

  • 12 mesi di garanzia inclusi
  • Il prodotto è pienamente conforme agli standard industriali dell'UE
  • Fattura IVA inclusa con ogni ordine

(GPSR (UE) 2023/988): Contattateci all'indirizzo info@liquisto.com per i dettagli di contatto del produttore/soggetto responsabile UE per la sicurezza del prodotto.