STB15NM60ND STMicroelectronics MOSFET a canale N 600V 1000 pz
Prezzo standard
€1.217,25
STMicroelectronics STB15NM60ND – MOSFET di potenza a canale N FDmesh™ II.
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Panoramica del prodotto
| Produttore | STMicroelectronics |
| Codice articolo | STB15NM60ND |
| Codice data | 1722 |
| Tipo di dispositivo | MOSFET di potenza a canale N – FDmesh™ II (MDmesh™ 2a generazione) |
| Contenitore | D²PAK (TO-263) |
| Tensione Drain-Source (VDSS) | 600 V |
| Corrente di Drain Continua (ID) a TC = 25°C | 14 A |
| Corrente di Drain Continua (ID) a TC = 100°C | 9 A |
| Corrente di Drain Pulsata (IDM) | 56 A |
| RDS(on) Max (VGS = 10 V, ID = 7 A) | 0.299 Ω (tip. 0.27 Ω) |
| Tensione Gate-Source (VGS) | ± 25 V |
| Tensione di soglia Gate (VGS(th)) | 3 – 5 V |
| Dissipazione di potenza totale (PTOT) a TC = 25°C | 125 W |
| Conformità RoHS | Sì – ECOPACK® senza piombo |
| Imballaggio | Nastro e bobina – bobina completa (1000 pz) |
| Condizione | Nuovo in confezione originale sigillata (OVP) |
Applicazioni
- Topologie a ponte e convertitori ZVS phase-shift che richiedono prestazioni del diodo di body a recupero rapido
- Alimentatori switching (SMPS) e convertitori DC-DC in apparecchiature industriali e di telecomunicazione
- Azionamenti per motori, inverter e sistemi UPS che richiedono dispositivi di commutazione a canale N ad alta tensione
- Stadi PFC (correzione del fattore di potenza) e topologie di convertitori risonanti
- Applicazioni generiche di commutazione ad alta tensione che richiedono un basso RDS(on) e un'elevata capacità dv/dt
Spedizione
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- Consegna gratuita in Germania
Garanzia e conformità
- 12 mesi di garanzia inclusi
- Il prodotto è pienamente conforme agli standard industriali dell'UE
- Fattura IVA inclusa con ogni ordine
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