2N7002DWK من شركة Diodes Incorporated، ترانزستور MOSFET مزدوج بقناة N، 3000 قطعة
السعر العادي
€80,10
Diodes Incorporated 2N7002DWK — ترانزستور MOSFET مزدوج بقناة N ونمط تعزيز، بجهد 60 V وتيار 261 mA، في حزمة SOT363، على بكرة شريطية تضم 3000 قطعة. صُمم لتقليل مقاومة التوصيل مع الحفاظ على أداء تبديل سريع، ما يجعله مثاليًا لتطبيقات إدارة الطاقة عالية الكفاءة والتحكم في المحركات. تتضمن كلتا القناتين ثنائيات حماية للبوابة لتعزيز مقاومة التفريغ الكهروستاتيكي (ESD)، والجهاز خالٍ تمامًا من الرصاص والهالوجين ومتوافق مع توجيه RoHS.
غير متوفر في المخزون
نظرة عامة على المنتج
| رقم القطعة | 2N7002DWK |
| رمز التاريخ | 21+ (2021 أو أحدث) |
| الشركة المصنّعة | Diodes Incorporated |
| نوع المنتج | ترانزستور MOSFET مزدوج بقناة N ونمط تعزيز |
| جهد المصرف إلى المصدر (BVDSS) | 60 V |
| جهد البوابة إلى المصدر (VGSS) | ±20 V |
| تيار المصرف المستمر (ID) عند TA = +25 °C | 261 mA (VGS = 10 V) / 226 mA (VGS = 4.5 V) |
| تيار المصرف المستمر (ID) عند TA = +70 °C | 208 mA |
| تيار المصرف النبضي (IDM) | 1.1 A (نبضة 10 µs، دورة تشغيل 1 %) |
| جهد عتبة البوابة (VGS(TH)) | 1.0 V كحد أدنى — 2.0 V كحد أقصى |
| مقاومة التوصيل RDS(ON) النموذجية / القصوى | 1.3 Ω نموذجية / 3.0 Ω قصوى عند VGS = 10 V، ID = 200 mA 1.5 Ω نموذجية / 4.0 Ω قصوى عند VGS = 4.5 V، ID = 150 mA |
| تيار المصرف عند جهد بوابة صفري (IDSS) | 1 µA كحد أقصى عند VDS = 60 V |
| تسرّب البوابة إلى المصدر (IGSS) | ±10 µA كحد أقصى عند VGS = ±20 V |
| جهد التوصيل الأمامي للثنائي (VSD) | 0.8 V نموذجي / 1.4 V كحد أقصى عند IS = 115 mA |
| سعة الدخل (Ciss) | 41 pF نموذجية |
| سعة الخرج (Coss) | 4.5 pF نموذجية |
| إجمالي شحنة البوابة (Qg) | 0.51 nC نموذجية عند VGS = 4.5 V / 1.04 nC نموذجية عند VGS = 10 V |
| تأخير التشغيل / زمن الصعود | 6.9 ns / 5.8 ns |
| تأخير إيقاف التشغيل / زمن الهبوط | 37.8 ns / 14.3 ns |
| إجمالي تبديد الطاقة (PD) | 0.45 W (لوح نحاسي بمساحة 1 in²) / 0.33 W (الوسادة الدنيا) |
| المقاومة الحرارية من الوصلة إلى الوسط المحيط (RθJA) | 278 °C/W (نحاس بمساحة 1 in²) / 379 °C/W (الوسادة الدنيا) |
| درجة حرارة التشغيل / التخزين (TJ, TSTG) | −55 °C إلى +150 °C |
| الحماية من التفريغ الكهروستاتيكي (ESD) | ثنائي حماية للبوابة على كل قناة |
| مستوى الحساسية للرطوبة | المستوى 1 وفقًا لمعيار J-STD-020 |
| الحزمة | SOT363 — 2.15 × 2.10 × 0.95 mm (تقريبًا) |
| الوزن | 0.006 g (تقريبًا) |
| الكمية | بكرة كاملة تضم 3,000 قطعة — شريط وبكرة |
| الحالة | جديد — بكرة أصلية مختومة (OVP) |
| المطابقة | متوافق مع RoHS (EU 2002/95/EC, 2011/65/EU, 2015/863/EU)؛ خالٍ من الهالوجين؛ خالٍ من الرصاص؛ جهاز «أخضر» |
التطبيقات
- دوائر إدارة الطاقة عالية الكفاءة التي تتطلب تبديلًا بمقاومة توصيل منخفضة
- دوائر التحكم في المحركات وقيادتها، باستخدام القناتين بشكل مستقل أو في تهيئات متكاملة
- تبديل الأحمال وتوجيه الإشارات ودوائر قيادة البوابة بمستوى منطقي
- الإلكترونيات الاستهلاكية المحمولة والمعتمدة على البطاريات، حيث يتيح انخفاض VGS(TH) القيادة المباشرة بواسطة وحدة تحكم دقيقة (MCU)
- تصاميم لوحات الدوائر المطبوعة المحدودة المساحة، التي تستفيد من البصمة المدمجة للجهاز المزدوج بحزمة SOT363
الشحن
- يُشحن خلال 24 ساعة من استلام الدفعة
- تغليف آمن لضمان التسليم بسلامة
- توصيل مجاني داخل ألمانيا
الضمان والمطابقة
- يشمل ضمانًا لمدة 12 شهرًا
- المنتج متوافق بالكامل مع معايير الصناعة في الاتحاد الأوروبي
- تُرفق فاتورة ضريبة القيمة المضافة مع كل طلب
(اللائحة العامة لسلامة المنتجات GPSR (EU) 2023/988): يُرجى التواصل معنا للحصول على تفاصيل الاتصال بالجهة المصنّعة/الطرف المسؤول في الاتحاد الأوروبي بشأن سلامة المنتج.