دائرة IC Infineon IRS2001STRPBF عالية ومنخفضة الجانب لقيادة البوابة — إزاحة 200V، تيار خرج ذروي 200mA/420mA، إمداد قيادة البوابة 10–20V، متوافق مع منطق 3.3V/5V/15V، 8-Lead SOIC، شريط وبكرة، رمز تاريخ 14+. مشغل HVIC للتحكم المستقل في MOSFET و IGBT قناة N عالية ومنخفضة الجانب مع تشغيل البوتستراب وقفل انخفاض الجهد. ملاحظة: لا يُنصح بهذا الجزء للتصميمات الجديدة — البديل المقترح من الشركة المصنعة هو IRS2005SPBF. مناسب لصيانة وإصلاح التصميمات الحالية. شريط من 28 قطعة في التغليف الأصلي.
متوفر في المخزون — يُشحن خلال 3 أيام بعد الدفع.
يرجى ملاحظة أن الصورة لأغراض توضيحية فقط
نظرة عامة على المنتج
| رقم القطعة | IRS2001STRPBF |
| الشركة المصنعة | Infineon Technologies (International Rectifier) |
| رمز التاريخ | 14+ |
| الكمية | شريط وبكرة — 28 قطعة |
| نوع الجهاز | دائرة عالية ومنخفضة الجانب لقيادة البوابة (MOSFET/IGBT) |
| جهد إزاحة الجانب العالي (VOFFSET) | 200V كحد أقصى. |
| تيار خرج الذروة (IO+/-) | 200mA مصدر / 420mA مَصرف |
| جهد إمداد قيادة البوابة (VOUT) | 10 – 20V |
| نطاق إمداد المنطق | متوافق مع منطق 3.3V و 5V و 15V |
| تأخير انتشار التشغيل (ton) | 160ns نموذجي / 220ns كحد أقصى |
| تأخير انتشار الإيقاف (toff) | 150ns نموذجي / 220ns كحد أقصى |
| مطابقة التأخير (HS & LS) | 50ns كحد أقصى |
| قفل انخفاض الجهد | نعم (VCC) |
| درجة حرارة التشغيل | −40°C إلى +125°C |
| الحزمة | 8-Lead SOIC (شريط وبكرة) |
| الحالة | جديد — التغليف الأصلي (OVP) |
| الامتثال | متوافق مع RoHS (خالٍ من الرصاص)، مؤهل للمستوى الصناعي |
التطبيقات
- صيانة وإصلاح دوائر قيادة نصف الجسر MOSFET/IGBT الحالية حتى 200V
- محركات منخفضة الطاقة ومراحل عاكسة في التصميمات القديمة
- مزودات طاقة نصف الجسر ذات الوضع التبديلية التي تتطلب قيادة جانب عالي بالبوتستراب
- مخزون بديل لصيانة المعدات الصناعية
الشحن
- يُشحن خلال 3 أيام بعد الدفع
- تغليف آمن للتسليم الآمن
- توصيل مجاني داخل ألمانيا
الضمان والامتثال
- ضمان 12 شهرًا مشمول
- المنتج متوافق تمامًا مع معايير الصناعة في الاتحاد الأوروبي
- فاتورة ضريبة القيمة المضافة مشمولة مع كل طلب
(GPSR (EU) 2023/988): تواصل معنا للحصول على تفاصيل الاتصال بسلامة المنتج للشركة المصنعة/الطرف المسؤول في الاتحاد الأوروبي.