IPD65R190C7 Infineon vysokovýkonný MOSFET 2500 ks
Běžná cena
€1.778,25
Běžná cena
-41%
€3.000,00
Prodejní cena
€1.778,25
Infineon IPD65R190C7 650V CoolMOS™ C7 výkonový N-kanálový MOSFET — 650V, 13A, 190mΩ RDS(on), DPAK (PG-TO252-3), datum výroby 1810. Technologie Superjunction poskytující nejlepší spínací výkon ve své třídě pro PFC stupně a hard-switching PWM aplikace. Plně zapečetěná cívka s 2500 kusy v originálním balení.
Skladem — expedice do 3 dnů od obdržení platby.
Upozorňujeme, že obrázek je pouze ilustrativní
Přehled produktu
| Číslo dílu | IPD65R190C7 |
| Výrobce | Infineon Technologies |
| Datum výroby | 1810 |
| Množství | Celá cívka — 2500 ks |
| Typ zařízení | N-kanálový výkonový MOSFET |
| Technologie | CoolMOS™ C7 Superjunction |
| Napětí mezi drainem a sourcem (VDS) | 650V |
| Trvalý proud drainu (ID) | 13A @ TC = 25°C |
| Odpor v sepnutém stavu (RDS(on) max) | 190mΩ @ VGS = 10V |
| Celkový náboj hradla (Qg) | 23nC (typ) |
| Ztrátový výkon (Ptot) | 72W @ TC = 25°C |
| Pouzdro | DPAK (PG-TO252-3) |
| Stav | Nový — zapečetěné originální balení (OVP) |
| Soulad s normami | RoHS, bez halogenů, certifikace JEDEC |
Aplikace
- Stupně pro korekci účiníku (PFC) v napájecích zdrojích pro výpočetní techniku, servery a telekomunikace
- Hard-switching PWM stupně v systémech UPS a solárních střídačích
- Vysokofrekvenční spínané zdroje vyžadující nízké spínací ztráty
- Průmyslová přeměna energie vyžadující vysokou účinnost a spolehlivost
Doprava
- Expedice do 3 dnů od obdržení platby
- Bezpečné balení pro bezpečné doručení
- Doprava zdarma v rámci Německa
Záruka a shoda
- Součástí je 12měsíční záruka
- Produkt je plně v souladu s průmyslovými normami EU
- K objednávce je přiložena faktura s DPH
(GPSR (EU) 2023/988): Kontaktujte nás pro získání kontaktních údajů výrobce/odpovědné osoby v EU pro bezpečnost výrobku.