Infineon IRF7807PBF HEXFET® N-kanálový výkonový MOSFET — 30V, 8,3A, 25mΩ RDS(on), SO-8. Pokročilá technologie HEXFET optimalizovaná pro mobilní DC-DC měniče, poskytující výjimečnou rovnováhu mezi nízkým odporem v sepnutém stavu a nízkým nábojem hradla pro vysoce účinnou 3,3V a 5V přeměnu energie. Vhodný jako řídicí FET i synchronní FET ve stejném návrhu. Balení v tubě po 95 kusech v originálním obalu. Přímá náhrada za IRF7807TRPBF (varianta na kotouči/tape and reel).
Skladem — odesíláme do 3 dnů od zaplacení.
Upozorňujeme, že obrázek je pouze ilustrativní
Přehled produktu
| Číslo dílu | IRF7807PBF |
| Výrobce | Infineon Technologies (International Rectifier) |
| Množství | Tuba — 95 ks |
| Typ součástky | N-kanálový HEXFET® výkonový MOSFET |
| Napětí drain-source (VDS) | 30V |
| Trvalý proud drainu (ID) | 8,3A při 25°C |
| Odpor v sepnutém stavu (RDS(on) max) | 25mΩ při VGS = 4,5V |
| Celkový náboj hradla (Qg) | 17nC (max) při VGS = 5V |
| Ztrátový výkon (PD) | 2,5W při 25°C |
| Napětí gate-source (VGS) | ±12V |
| Pouzdro | SO-8 |
| Náhrada za | IRF7807TRPBF (varianta na kotouči) |
| Stav | Nový — originální balení (OVP) |
| Shoda | V souladu s RoHS (bez olova) |
Aplikace
- Mobilní DC-DC měniče pro 3,3V a 5V systémové sběrnice v noteboocích a přenosných zařízeních
- Řídicí FET a synchronní FET v návrzích vysoce účinných měničů typu buck
- Nízkonapěťová přeměna energie v vestavěných systémech a napájecích stupních mikroprocesorů
- Bateriově napájené aplikace vyžadující minimální vodivostní a spínací ztráty
Doprava
- Odesíláme do 3 dnů od zaplacení
- Bezpečné balení pro bezproblémové doručení
- Doručení v rámci Německa zdarma
Záruka a shoda
- Zahrnuta 12měsíční záruka
- Produkt je plně v souladu s průmyslovými normami EU
- Ke každé objednávce je přiložena faktura s DPH
(GPSR (EU) 2023/988): Kontaktujte nás pro získání kontaktních údajů výrobce/odpovědné osoby v EU ohledně bezpečnosti produktu.