Diodes Incorporated 2N7002DWK — MOSFET de canal N dual en modo de enriquecimiento, 60 V, 261 mA, SOT363, cinta y carrete de 3000 unidades. Diseñado para minimizar la resistencia de encendido y mantener un rendimiento de conmutación rápido, lo que lo hace ideal para aplicaciones de gestión de energía de alta eficiencia y control de motores. Ambos canales incluyen diodos de protección de compuerta para una mayor resistencia a las descargas electrostáticas, y el dispositivo no contiene plomo ni halógenos y cumple con RoHS.
Agotado
Descripción general del producto
| Número de pieza | 2N7002DWK |
| Código de fecha | 21+ (2021 o posterior) |
| Fabricante | Diodes Incorporated |
| Tipo de producto | MOSFET de canal N dual en modo de enriquecimiento |
| Tensión drenador-fuente (BVDSS) | 60 V |
| Tensión compuerta-fuente (VGSS) | ±20 V |
| Corriente de drenador continua (ID) a TA = +25 °C | 261 mA (VGS = 10 V) / 226 mA (VGS = 4,5 V) |
| Corriente de drenador continua (ID) a TA = +70 °C | 208 mA |
| Corriente de drenador pulsada (IDM) | 1,1 A (pulso de 10 µs, ciclo de trabajo del 1 %) |
| Tensión umbral de compuerta (VGS(TH)) | 1,0 V mín. — 2,0 V máx. |
| Resistencia de encendido RDS(ON), típica / máxima | 1,3 Ω típ. / 3,0 Ω máx. a VGS = 10 V, ID = 200 mA 1,5 Ω típ. / 4,0 Ω máx. a VGS = 4,5 V, ID = 150 mA |
| Corriente de drenador con tensión de compuerta cero (IDSS) | 1 µA máx. a VDS = 60 V |
| Corriente de fuga compuerta-fuente (IGSS) | ±10 µA máx. a VGS = ±20 V |
| Tensión directa del diodo (VSD) | 0,8 V típ. / 1,4 V máx. a IS = 115 mA |
| Capacitancia de entrada (Ciss) | 41 pF típ. |
| Capacitancia de salida (Coss) | 4,5 pF típ. |
| Carga total de compuerta (Qg) | 0,51 nC típ. a VGS = 4,5 V / 1,04 nC típ. a VGS = 10 V |
| Retardo de encendido / tiempo de subida | 6,9 ns / 5,8 ns |
| Retardo de apagado / tiempo de caída | 37,8 ns / 14,3 ns |
| Disipación total de potencia (PD) | 0,45 W (placa de cobre de 1 in²) / 0,33 W (almohadilla mín.) |
| Resistencia térmica de la unión al ambiente (RθJA) | 278 °C/W (cobre de 1 in²) / 379 °C/W (almohadilla mín.) |
| Temperatura de funcionamiento / almacenamiento (TJ, TSTG) | −55 °C a +150 °C |
| Protección ESD | Diodo de protección de compuerta en cada canal |
| Nivel de sensibilidad a la humedad | Nivel 1 según J-STD-020 |
| Encapsulado | SOT363 — 2,15 × 2,10 × 0,95 mm (típ.) |
| Peso | 0,006 g (aprox.) |
| Cantidad | Carrete completo de 3.000 unidades — cinta y carrete |
| Estado | Nuevo — carrete original sellado (OVP) |
| Conformidad | Conforme con RoHS (UE 2002/95/CE, 2011/65/UE, 2015/863/UE); sin halógenos; sin plomo; dispositivo «Green» |
Aplicaciones
- Circuitos de gestión de energía de alta eficiencia que requieren conmutación con baja resistencia de encendido
- Circuitos de control y accionamiento de motores que utilizan ambos canales de forma independiente o en configuraciones complementarias
- Circuitos de conmutación de carga, enrutamiento de señales y control de compuerta a nivel lógico
- Productos electrónicos de consumo portátiles y alimentados por batería, donde el bajo VGS(TH) permite el control directo mediante MCU
- Diseños de PCB con espacio limitado que se benefician de la huella compacta SOT363 para dispositivos duales
Envío
- Se envía en un plazo de 24 horas después del pago
- Embalaje seguro para una entrega sin daños
- Envío gratuito dentro de Alemania
Garantía y conformidad
- Garantía de 12 meses incluida
- El producto cumple plenamente las normas industriales de la UE
- Factura con IVA incluida en cada pedido
(GPSR (UE) 2023/988): Contáctenos para obtener los datos de contacto de seguridad del producto del fabricante o de la parte responsable en la UE.