STB15NM60ND STMicroelectronics MOSFET de canal N 600V 1000pcs
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€1.217,25
MOSFET de potencia de canal N STMicroelectronics STB15NM60ND – FDmesh™ II.
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Descripción general del producto
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Número de pieza | STB15NM60ND |
| Código de fecha | 1722 |
| Tipo de dispositivo | MOSFET de potencia de canal N – FDmesh™ II (MDmesh™ de 2.ª generación) |
| Encapsulado | D²PAK (TO-263) |
| Tensión drenaje-fuente (VDSS) | 600 V |
| Corriente de drenaje continua (ID) a TC = 25 °C | 14 A |
| Corriente de drenaje continua (ID) a TC = 100 °C | 9 A |
| Corriente de drenaje pulsada (IDM) | 56 A |
| RDS(on) máx. (VGS = 10 V, ID = 7 A) | 0,299 Ω (típ. 0,27 Ω) |
| Tensión puerta-fuente (VGS) | ± 25 V |
| Tensión umbral de puerta (VGS(th)) | 3 – 5 V |
| Disipación total de potencia (PTOT) a TC = 25 °C | 125 W |
| Conformidad con RoHS | Sí: sin plomo ECOPACK® |
| Embalaje | Cinta y carrete: carrete completo (1000 uds.) |
| Estado | Nuevo, en embalaje original sellado (OVP) |
Aplicaciones
- Topologías de puente y convertidores ZVS de desplazamiento de fase que requieren un rendimiento de recuperación rápida del diodo de cuerpo
- Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) y convertidores CC-CC en equipos industriales y de telecomunicaciones
- Accionamientos de motores, inversores y sistemas UPS que requieren dispositivos de conmutación de canal N de alta tensión
- Etapas de PFC (corrección del factor de potencia) y topologías de convertidores resonantes
- Aplicaciones generales de conmutación de alta tensión que requieren un RDS(on) bajo y una alta capacidad de dv/dt
Envío
- Se envía en un plazo de 3 días tras el pago
- Embalaje seguro para una entrega sin daños
- Envío gratuito dentro de Alemania
Garantía y cumplimiento
- Garantía de 12 meses incluida
- El producto cumple plenamente las normas industriales de la UE
- Factura con IVA incluida en cada pedido
(GPSR (UE) 2023/988): Contáctenos para obtener los datos de contacto de seguridad del producto del fabricante/parte responsable en la UE.