2N7002DWK Diodes Incorporated double MOSFET à canal N 3000pcs
Prix
€96,12
inc. VAT
Diodes Incorporated 2N7002DWK — MOSFET double canal N à mode d’enrichissement, 60 V, 261 mA, SOT363, bande et bobine de 3 000 pièces. Conçu pour minimiser la résistance à l’état passant tout en conservant des performances de commutation rapides, il est idéal pour les applications de gestion de l’alimentation à haut rendement et de commande de moteurs. Les deux canaux intègrent des diodes de protection de grille pour une meilleure robustesse aux décharges électrostatiques, et le dispositif est entièrement sans plomb, sans halogène et conforme à la directive RoHS.
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Présentation du produit
| Référence | 2N7002DWK |
| Code date | 21+ (2021 ou ultérieur) |
| Fabricant | Diodes Incorporated |
| Type de produit | MOSFET double canal N à mode d’enrichissement |
| Tension drain-source (BVDSS) | 60 V |
| Tension grille-source (VGSS) | ±20 V |
| Courant de drain continu (ID) à TA = +25 °C | 261 mA (VGS = 10 V) / 226 mA (VGS = 4,5 V) |
| Courant de drain continu (ID) à TA = +70 °C | 208 mA |
| Courant de drain impulsionnel (IDM) | 1,1 A (impulsion de 10 µs, rapport cyclique de 1 %) |
| Tension de seuil de grille (VGS(TH)) | 1,0 V min. — 2,0 V max. |
| Résistance à l’état passant RDS(ON), typ. / max. | 1,3 Ω typ. / 3,0 Ω max. à VGS = 10 V, ID = 200 mA 1,5 Ω typ. / 4,0 Ω max. à VGS = 4,5 V, ID = 150 mA |
| Courant de drain à tension de grille nulle (IDSS) | 1 µA max. à VDS = 60 V |
| Courant de fuite grille-source (IGSS) | ±10 µA max. à VGS = ±20 V |
| Tension directe de la diode (VSD) | 0,8 V typ. / 1,4 V max. à IS = 115 mA |
| Capacité d’entrée (Ciss) | 41 pF typ. |
| Capacité de sortie (Coss) | 4,5 pF typ. |
| Charge totale de grille (Qg) | 0,51 nC typ. à VGS = 4,5 V / 1,04 nC typ. à VGS = 10 V |
| Délai d’activation / temps de montée | 6,9 ns / 5,8 ns |
| Délai de coupure / temps de descente | 37,8 ns / 14,3 ns |
| Dissipation de puissance totale (PD) | 0,45 W (plaque de cuivre de 1 in²) / 0,33 W (pastille min.) |
| Résistance thermique jonction-ambiante (RθJA) | 278 °C/W (cuivre de 1 in²) / 379 °C/W (pastille min.) |
| Température de fonctionnement / de stockage (TJ, TSTG) | −55 °C à +150 °C |
| Protection contre les décharges électrostatiques | Diode de protection de grille sur chaque canal |
| Niveau de sensibilité à l’humidité | Niveau 1 selon J-STD-020 |
| Boîtier | SOT363 — 2,15 × 2,10 × 0,95 mm (typ.) |
| Poids | 0,006 g (env.) |
| Quantité | Bobine complète de 3 000 pièces — bande et bobine |
| État | Neuf — bobine d’origine scellée (OVP) |
| Conformité | Conforme à la directive RoHS (UE 2002/95/CE, 2011/65/UE, 2015/863/UE) ; sans halogène ; sans plomb ; dispositif « Green » |
Applications
- Circuits de gestion de l’alimentation à haut rendement nécessitant une commutation à faible résistance à l’état passant
- Circuits de commande et de pilotage de moteurs utilisant les deux canaux indépendamment ou dans des configurations complémentaires
- Circuits de commutation de charge, de routage de signaux et de commande de grille au niveau logique
- Électronique grand public portable et alimentée par batterie, où le faible VGS(TH) permet une commande directe par MCU
- Conceptions de circuits imprimés à espace restreint bénéficiant de l’empreinte compacte SOT363 pour double dispositif
Expédition
- Expédition dans les 24 heures suivant le paiement
- Emballage sécurisé pour une livraison sans dommage
- Livraison gratuite en Allemagne
Garantie et conformité
- Garantie de 12 mois incluse
- Le produit est entièrement conforme aux normes industrielles de l’UE
- Facture de TVA incluse avec chaque commande
(GPSR (UE) 2023/988) : contactez-nous pour obtenir les coordonnées de contact relatives à la sécurité du produit du fabricant/de la partie responsable dans l’UE.