IPD65R190C7 Infineon MOSFET haute puissance 2500pcs

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Détails du produit

Infineon IPD65R190C7 MOSFET de puissance à canal N CoolMOS™ C7 650 V — 650 V, 13 A, 190 mΩ RDS(on), DPAK (PG-TO252-3), code date 1810. Technologie Superjunction offrant des performances de commutation de premier ordre pour les étages PFC et les applications PWM à commutation dure. Bobine complète scellée de 2500 pièces dans l’emballage d’origine.

Disponible en stock — expédition dans les 3 jours suivant le paiement.

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Présentation du produit

Référence IPD65R190C7
Fabricant Infineon Technologies
Code date 1810
Quantité Bobine complète — 2500 pièces
Type de composant MOSFET de puissance à canal N
Technologie CoolMOS™ C7 Superjunction
Tension drain-source (VDS) 650V
Courant de drain continu (ID) 13A @ TC = 25 °C
Résistance à l’état passant (RDS(on) max) 190 mΩ à VGS = 10 V
Charge totale de grille (Qg) 23nC (typ)
Dissipation de puissance (Ptot) 72W @ TC = 25 °C
Boîtier DPAK (PG-TO252-3)
État Neuf — emballage d’origine scellé (OVP)
Conformité Conforme à la directive RoHS, sans halogène, qualifié JEDEC

Applications

  • Étages de correction du facteur de puissance (PFC) dans les alimentations informatiques, de serveurs et de télécommunications
  • Étages PWM à commutation dure dans les systèmes d’onduleurs UPS et solaires
  • Alimentations à découpage haute fréquence nécessitant de faibles pertes de commutation
  • Conversion de puissance industrielle nécessitant une efficacité et une fiabilité élevées

Expédition

  • Expédition dans les 3 jours suivant le paiement
  • Emballage sécurisé pour une livraison sans risque
  • Livraison gratuite en Allemagne

Garantie et conformité

  • Garantie de 12 mois incluse
  • Le produit est entièrement conforme aux normes industrielles de l’UE
  • Facture TVA incluse avec chaque commande

(GPSR (EU) 2023/988) : Contactez-nous pour obtenir les coordonnées de sécurité du produit du fabricant/de la partie responsable dans l’UE.