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ONSEMI MMBZ16VALT1G 3000 pièces

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Détails du produit

Diode Zener à double anode commune d’onsemi, modèle MMBZ16VALT1G. Tension nominale de claquage de 16 V (tolérance de 5 %), dissipation de puissance d’impulsion de crête de 40 W à 1,0 ms, dans un boîtier SOT-23 (CASE 318, style 12).  Bobine complète d’usine de 3000 pièces sur ruban et bobine de 7 pouces.

Disponible en stock — expédition dans les 24 heures suivant le paiement.

L’image est fournie à titre indicatif uniquement.

Présentation du produit

Modèle MMBZ16VALT1G
Fabricant onsemi (Semiconductor Components Industries, LLC)
Type de produit Diode Zener à double anode commune, protection contre les surtensions transitoires — série MMBZxxxALT1G
Quantité / emballage 3000 pièces — ruban et bobine de 7 pouces
Tension Zener nominale (VBR nom.) 16 V (tolérance de 5 % — min. 15,20 V / max. 16,80 V @ IT = 1,0 mA)
Tension inverse de crête de fonctionnement (VRWM) 13 V
Courant de fuite inverse maximal (IR @ VRWM) 50 nA
Dissipation de puissance de crête (Ppk @ 1,0 ms, TA ≤ 25 °C) 40 W
Tension d’écrêtage (VC @ IPP) 23 V @ 1,7 A
Courant d’impulsion inverse de crête maximal (IPP) 1,7 A
Coefficient de température de VBR 13,8 mV/°C
Tension directe (VF max. @ IF = 10 mA) 0,9 V
Dissipation de puissance totale sur carte FR-5 (TA = 25 °C) 225 mW (réduction de 1,8 mW/°C au-dessus de 25 °C)
Résistance thermique jonction-ambiance (FR-5) 556 °C/W
Température de jonction et de stockage −55 à +150 °C
Caractéristique ESD — modèle du corps humain Classe 3B (>16 kV)
Caractéristique ESD — modèle machine Classe C (>400 V)
Caractéristique ESD — CEI 61000-4-2 Niveau 4, décharge par contact de ±30 kV
Configuration Double anode commune (broche 1 : cathode 1, broche 2 : cathode 2, broche 3 : anode) — SOT-23 style 12
Marquage du composant 16A
Boîtier SOT-23 (CASE 318), 2,90 × 1,30 × 1,00 mm, pas de 1,90 mm
Température maximale de soudage 260 °C pendant 10 secondes
Classe d’inflammabilité UL 94 V-0
Conformité Sans plomb, conforme RoHS
État Neuf — bobine d’origine usine

Applications

  • Protection contre les décharges électrostatiques et les surtensions transitoires de deux lignes de signal indépendantes à l’aide d’un seul boîtier SOT-23 — idéale pour les circuits imprimés à espace limité dans les ordinateurs, imprimantes, systèmes de communication et équipements médicaux
  • Protection bidirectionnelle contre les décharges électrostatiques d’une seule ligne, en connectant les deux broches de cathode au nœud protégé et l’anode à la masse
  • Protection des interfaces informatiques et des bus d’E/S de microprocesseurs (données, adresses, commandes) contre les décharges électrostatiques jusqu’à ±30 kV (CEI 61000-4-2 niveau 4)
  • Écrêtage de tension à 16 V nominaux dans les circuits électroniques industriels et grand public nécessitant une solution TVS compacte à puissance de crête élevée

Expédition

  • Expédition dans les 24 heures suivant le paiement
  • Emballage sécurisé pour une livraison sans risque
  • Livraison gratuite en Allemagne

Garantie et conformité

  • Garantie de 12 mois incluse
  • Le produit est entièrement conforme aux normes industrielles de l’UE
  • Facture avec TVA incluse pour chaque commande

(GPSR (UE) 2023/988) : Contactez-nous pour obtenir les coordonnées de sécurité du fabricant ou de la partie responsable dans l’UE.