2N7002DWK Diodes Incorporated MOSFET duplo de canal N 3000unidades
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€80,10
Diodes Incorporated 2N7002DWK — MOSFET de canal N duplo, modo de enriquecimento, 60 V, 261 mA, SOT363, fita e bobina com 3 000 unidades. Concebido para minimizar a resistência no estado ligado, mantendo um desempenho de comutação rápido, o que o torna ideal para aplicações de gestão de energia de elevada eficiência e controlo de motores. Ambos os canais incluem díodos de proteção da porta para maior robustez contra ESD, e o dispositivo é totalmente isento de chumbo e halogéneos e está em conformidade com RoHS.
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Visão geral do produto
| Número de peça | 2N7002DWK |
| Código de data | 21+ (2021 ou posterior) |
| Fabricante | Diodes Incorporated |
| Tipo de produto | MOSFET de canal N duplo, modo de enriquecimento |
| Tensão dreno-fonte (BVDSS) | 60 V |
| Tensão porta-fonte (VGSS) | ±20 V |
| Corrente de dreno contínua (ID) @ TA = +25 °C | 261 mA (VGS = 10 V) / 226 mA (VGS = 4,5 V) |
| Corrente de dreno contínua (ID) @ TA = +70 °C | 208 mA |
| Corrente de dreno pulsada (IDM) | 1,1 A (impulso de 10 µs, ciclo de trabalho de 1 %) |
| Tensão limiar da porta (VGS(TH)) | 1,0 V mín. — 2,0 V máx. |
| Resistência no estado ligado RDS(ON) típ. / máx. | 1,3 Ω típ. / 3,0 Ω máx. a VGS = 10 V, ID = 200 mA 1,5 Ω típ. / 4,0 Ω máx. a VGS = 4,5 V, ID = 150 mA |
| Corrente de dreno com tensão de porta nula (IDSS) | 1 µA máx. a VDS = 60 V |
| Corrente de fuga porta-fonte (IGSS) | ±10 µA máx. a VGS = ±20 V |
| Tensão direta do díodo (VSD) | 0,8 V típ. / 1,4 V máx. a IS = 115 mA |
| Capacitância de entrada (Ciss) | 41 pF típ. |
| Capacitância de saída (Coss) | 4,5 pF típ. |
| Carga total da porta (Qg) | 0,51 nC típ. a VGS = 4,5 V / 1,04 nC típ. a VGS = 10 V |
| Atraso de ligação / tempo de subida | 6,9 ns / 5,8 ns |
| Atraso de desligamento / tempo de queda | 37,8 ns / 14,3 ns |
| Dissipação total de potência (PD) | 0,45 W (placa de cobre de 1 in²) / 0,33 W (área mínima da pastilha) |
| Resistência térmica da junção ao ambiente (RθJA) | 278 °C/W (cobre de 1 in²) / 379 °C/W (área mínima da pastilha) |
| Temperatura de funcionamento/armazenamento (TJ, TSTG) | −55 °C a +150 °C |
| Proteção ESD | Díodo de proteção da porta em cada canal |
| Nível de sensibilidade à humidade | Nível 1 segundo J-STD-020 |
| Encapsulamento | SOT363 — 2,15 × 2,10 × 0,95 mm (típ.) |
| Peso | 0,006 g (aprox.) |
| Quantidade | Bobina completa de 3 000 unidades — fita e bobina |
| Estado | Novo — bobina original selada (OVP) |
| Conformidade | Conforme com RoHS (UE 2002/95/CE, 2011/65/UE, 2015/863/UE); sem halogéneos; sem chumbo; dispositivo "Green" |
Aplicações
- Circuitos de gestão de energia de elevada eficiência que requerem comutação com baixa resistência no estado ligado
- Circuitos de controlo e acionamento de motores que utilizam ambos os canais de forma independente ou em configurações complementares
- Circuitos de comutação de carga, encaminhamento de sinais e acionamento de portas ao nível lógico
- Eletrónica de consumo portátil e alimentada por bateria, onde o baixo VGS(TH) permite o acionamento direto pelo MCU
- Projetos de PCB com espaço limitado que beneficiam do encapsulamento compacto SOT363 de dispositivo duplo
Expedição
- Expedição no prazo de 24 horas após o pagamento
- Embalagem segura para uma entrega sem danos
- Entrega gratuita na Alemanha
Garantia e conformidade
- Garantia de 12 meses incluída
- O produto cumpre integralmente as normas industriais da UE
- Fatura com IVA incluída em todas as encomendas
(GPSR (UE) 2023/988): Contacte-nos para obter os dados de contacto de segurança do produto do fabricante/da parte responsável na UE.