IPD65R190C7 Infineon MOSFET de alta potência 2500pcs

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Product Details

MOSFET de potência de canal N CoolMOS™ C7 Infineon IPD65R190C7 de 650 V — 650 V, 13 A, 190 mΩ RDS(on), DPAK (PG-TO252-3), código de data 1810. Tecnologia Superjunction que proporciona um desempenho de comutação de excelência para estágios PFC e aplicações PWM de comutação rígida. Rolo completo selado com 2500 unidades, na embalagem original.

Disponível em stock — expedido no prazo de 3 dias após o pagamento.

Tenha em atenção que a imagem se destina apenas a fins ilustrativos

Visão geral do produto

Número de peça IPD65R190C7
Fabricante Infineon Technologies
Código de data 1810
Quantidade Rolo completo — 2500 unidades
Tipo de dispositivo MOSFET de potência de canal N
Tecnologia CoolMOS™ C7 Superjunction
Tensão dreno-fonte (VDS) 650V
Corrente contínua de dreno (ID) 13A @ TC = 25 °C
Resistência no estado ligado (RDS(on) max.) 190 mΩ @ VGS = 10 V
Carga total da porta (Qg) 23nC (tip.)
Dissipação de potência (Ptot) 72W @ TC = 25 °C
Encapsulamento DPAK (PG-TO252-3)
Estado Novo — embalagem original selada (OVP)
Conformidade Em conformidade com RoHS, sem halogéneos e qualificado pela JEDEC

Aplicações

  • Estágios de correção do fator de potência (PFC) em fontes de alimentação para computação, servidores e telecomunicações
  • Estágios PWM de comutação rígida em sistemas UPS e inversores solares
  • Fontes de alimentação comutadas de alta frequência que exigem baixas perdas de comutação
  • Conversão de potência industrial que exige elevada eficiência e fiabilidade

Expedição

  • Expedição no prazo de 3 dias após o pagamento
  • Embalagem segura para uma entrega sem danos
  • Entrega gratuita na Alemanha

Garantia e conformidade

  • Garantia de 12 meses incluída
  • O produto está totalmente em conformidade com as normas industriais da UE
  • Fatura com IVA incluída em todas as encomendas

(GPSR (EU) 2023/988): Contacte-nos para obter os dados de contacto de segurança do produto do fabricante/parte responsável na UE.