Nexperia PMF250XNE MOSFET de trincheira de canal N 3000pcs
Nexperia PMF250XNE 30 V MOSFET de canal N com tecnologia Trench — VDS 30 V, ID 1 A, RDS(on) 254 mΩ máx., encapsulamento SMD SOT323 (SC-70), fornecido numa bobina com 3000 unidades. MOSFET de canal N em modo de enriquecimento, num encapsulamento SC-70 muito pequeno de 3 terminais, com tecnologia Trench para comutação muito rápida, baixa tensão de limiar e proteção ESD superior a 2 kV HBM — ideal para acionamento de relés, comutação de cargas e aplicações de acionamento de linhas de alta velocidade.
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Visão geral do produto
| Número de referência | PMF250XNE |
| Fabricante | Nexperia |
| Código de data | 2151 |
| Quantidade | 3000 unidades (1 bobina) |
| Tipo de produto | MOSFET de canal N, modo de enriquecimento, tecnologia Trench |
| Tensão dreno-fonte (VDS máx.) | 30 V |
| Tensão porta-fonte (VGS máx.) | ±12 V |
| Corrente de dreno contínua (ID) | 1 A (t ≤ 5 s, Tamb = 25°C); 0,9 A (CC, Tamb = 25°C) |
| Corrente de dreno pulsada (IDM) | 4 A (impulso único, tp ≤ 10 µs) |
| Dissipação total de potência (Ptot) | 342 mW (PCB FR4, área da almofada de dreno de 6 cm²); 275 mW (padrão) |
| RDS(on) máx. a VGS = 4,5 V | 254 mΩ (Tj = 25°C); 416 mΩ (Tj = 150°C) |
| RDS(on) máx. a VGS = 2,5 V | 321 mΩ (Tj = 25°C) |
| Tensão de limiar da porta (VGS(th)) | 0,75 V mín. / 1,0 V típ. / 1,25 V máx. |
| Carga total da porta (QG(tot)) | 1,05 nC mín. / 1,65 nC máx. |
| Capacitância de entrada (Ciss) | 81 pF típico |
| Atraso de ligação (td(on)) | 7 ns típico |
| Atraso de desligamento (td(off)) | 17 ns típico |
| Temperatura de funcionamento / junção | -55°C a +150°C |
| Proteção contra ESD | >2 kV HBM |
| Encapsulamento | SOT323 (SC-70) — 3 terminais, corpo de 2,0 × 1,25 × 0,95 mm |
| Estilo de montagem | Montagem à superfície (SMD) |
| Conformidade com a RoHS | Sim |
| Estado | Novo — na embalagem original selada (OVP) |
Aplicações
- Acionamento de relés em eletrónica de consumo e equipamentos de controlo industrial
- Comutação de cargas no lado inferior em dispositivos portáteis e circuitos de gestão de energia
- Aplicações de acionamento de linhas de alta velocidade que requerem comutação rápida e baixa carga de porta
- Circuitos de comutação de uso geral em designs SMD com espaço limitado
Expedição
- Expedição no prazo de 3 dias após o pagamento
- Embalagem segura para uma entrega sem danos
- Entrega gratuita na Alemanha
Garantia e conformidade
- Garantia de 12 meses incluída
- O produto cumpre integralmente as normas da indústria da UE
- Fatura com IVA incluída em todas as encomendas
(GPSR (UE) 2023/988): Contacte-nos para obter os dados de contacto de segurança do produto do Fabricante/Parte Responsável na UE.
