STB15NM60ND STMicroelectronics MOSFET de canal N 600V 1000pcs
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€1.217,25
STMicroelectronics STB15NM60ND – MOSFET de potência de canal N FDmesh™ II.
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Descrição geral do produto
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Número de peça | STB15NM60ND |
| Código de data | 1722 |
| Tipo de dispositivo | MOSFET de potência de canal N – FDmesh™ II (MDmesh™ de 2.ª geração) |
| Encapsulamento | D²PAK (TO-263) |
| Tensão dreno-fonte (VDSS) | 600 V |
| Corrente de dreno contínua (ID) a TC = 25°C | 14 A |
| Corrente de dreno contínua (ID) a TC = 100°C | 9 A |
| Corrente de dreno pulsada (IDM) | 56 A |
| RDS(on) máx. (VGS = 10 V, ID = 7 A) | 0.299 Ω (típ. 0.27 Ω) |
| Tensão porta-fonte (VGS) | ± 25 V |
| Tensão de limiar da porta (VGS(th)) | 3 – 5 V |
| Dissipação total de potência (PTOT) a TC = 25°C | 125 W |
| Conformidade com a RoHS | Sim – ECOPACK® sem chumbo |
| Embalagem | Fita e carretel – carretel completo (1000 unidades) |
| Estado | Novo, na embalagem original selada (OVP) |
Aplicações
- Topologias de ponte e conversores de deslocamento de fase ZVS que exigem um desempenho de recuperação rápida do díodo de corpo
- Fontes de alimentação comutadas (SMPS) e conversores CC-CC em equipamentos industriais e de telecomunicações
- Acionamentos de motores, inversores e sistemas UPS que requerem dispositivos de comutação de canal N de alta tensão
- Estágios PFC (correção do fator de potência) e topologias de conversores ressonantes
- Aplicações gerais de comutação de alta tensão que exigem baixo RDS(on) e elevada capacidade de dv/dt
Expedição
- Expedição no prazo de 3 dias após o pagamento
- Embalagem segura para uma entrega sem danos
- Entrega gratuita na Alemanha
Garantia e conformidade
- Garantia de 12 meses incluída
- O produto está totalmente em conformidade com as normas industriais da UE
- Fatura com IVA incluída em todas as encomendas
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